潔凈室氧化爐管使用操作方法

    一般潔凈室所採用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區大於50cm，高溫度可達1200?C并可連續24hr，大操作溫度為1150?C，溫控方式採用PID微電腦自動(dòng)溫度控制器。

目的

    將硅晶片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時(shí)間后，我們可以在硅晶片的表面生長(cháng)一層與硅的附著(zhù)性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。

注意:

＊ 在開(kāi)啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應時(shí)【l】將會(huì )發(fā)光，而氧化爐也將開(kāi)始加熱。

＊ 如果過(guò)溫保護裝置是好的，請確定警報點(diǎn)的設定於目前的使用過(guò)程中為恰當地。如果過(guò)熱保護裝置是好的，蜂嗚器會(huì )有聲音，在過(guò)溫控制操作中有警報一致的程序。

＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率大不能超過(guò)3?C per min。

＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。

＊ 在操作氧化爐時(shí)不要在大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長(cháng)氧化爐的壽命。

操作步驟:

1.    檢查前一次操作是否有異常問(wèn)題發(fā)生，并填寫(xiě)操作記錄。

2.    檢查機臺狀態(tài)